介觀壓阻型微壓力傳感器介紹及規(guī)劃

　　壓力傳感器運用廣泛，例如轎車中的多路壓力丈量(如空氣壓力丈量和輪胎體系、液壓體系、供油體系的壓力丈量)、環(huán)境操控(如加熱、通風和空氣調(diào)理)中的壓力丈量、航體系中的壓力丈量以及醫(yī)學中動脈血液壓力丈量等。這兒將在傳統(tǒng)壓力傳感器中運用一種新原理一介觀壓阻效應口，即在共振隧穿電壓鄰近，通過4個物理進程，將一個弱小的力學信號轉(zhuǎn)化為一個較強的電學信號。

　　用基于介觀壓阻效應的共振隧穿薄膜替代傳統(tǒng)的壓阻式應變片作為靈敏元件，通過理論剖析和仿真核算驗證了該構造對傳感器靈敏度、固有頻率的影響，從理論上證明了介觀壓阻效應原理能夠進步壓力傳感器的靈敏度，擴展其丈量頻率的規(guī)模。

　　介觀壓阻效應及GaAs，AlAs/InGaAsDBRT構造薄膜

　　介觀壓阻效應的界說為“等效電阻的應力調(diào)制"，等效電阻是對共振隧效應的一種詳細描繪。由4個物理進程構成：①在力學信號下，納米構造中的應力散布將發(fā)作改變；②必定條件下應力改變可致使內(nèi)建電場的產(chǎn)生；③內(nèi)建電場將致使納米帶構造中量子能級發(fā)作改變；④量子能級改變會致使共振隧穿電流改變。簡言之，在共振隧穿鄰近，通過上述進程，可將一個弱小的力學信號轉(zhuǎn)化。為一個較強的電學信號，體現(xiàn)出較大的壓阻系數(shù)。這兒所用的介觀壓阻效應元件為GaAs/A1As/InGaAs DBRT構造薄膜納米級窄帶隙資料。隨著外部壓力致使的拉伸應變的改變(如圖1所示)，DBRT構造的共振隧穿電流和阻抗明顯改變。而且，阻抗應變輸出可由外部電壓有用調(diào)理。其長處是靈敏度高、靈敏度可調(diào)、靈敏度隨溫度改變小。

　　傳感器構造規(guī)劃及力學剖析

　　所規(guī)劃的壓阻式壓力微傳感器，其制法是將N型硅腐蝕成厚10～25μm的膜片，并在一面分散了4個阻值持平的P型電阻。硅膜片周邊用硅杯固定，則當膜片兩面有壓力差時，膜片即發(fā)作變形，然后致使電阻改變。用微電路檢查出這種電阻改變，通過核算即可得出壓力改變?nèi)鐖D2所示。

　　核算時假定：小撓度理論；壓力是均勻作用于平膜片外表。由平膜片的應力核算公式可知：

　　當r<0．635R時，σ>0；

　　同樣，當r=0．812R時，σT=0，且σr<0，如圖3所示。在圓形硅膜片上，沿[110]晶向，在0．635R半徑表里各分散2個電阻，并恰當組織分散的方位，使得σn=一σro，則有(△R／R)i=一(△R/R)

　　這么即可構成差動全橋電路，測出壓力P的改變。式中σri，σro別離為內(nèi)、外電阻上所受徑向力的平均值；(△R／R)i，(△R/R)別離為內(nèi)、外電阻的相對改變。

　　依據(jù)膜的構造與應力核算公式，推出被測壓力與應變片測出的應變：

　　式中：μ為硅資料的泊松比，μ=O.35；R,r，h別離為硅膜片的有用半徑，核算半徑，厚度；E為硅資料的模量，E=8．7Gpa；P為作用于平膜片上的壓力；ω為平膜片的撓度；

　　通過剖析，綜合考慮規(guī)劃的請求，開始設定：h=20μm，R=200μm。其固有頻率能夠按下式核算：

　　傳感器的功能剖析與核算

　　運用介觀壓阻效應原理替代壓阻原理來檢查壓力，將圓膜片上的的壓敏電阻換成GaAs／A1As／InGaAs DBRT構造薄膜。用傳遞矩陣法核算該薄膜在沿成長方向的應力改變下的輸出呼應，通過全部構造的隧穿電流密度可表示為：

　　式中：e為電子電荷的巨細，m*為GoAs電子的有用質(zhì)量，kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為溫度，EF為費米能級，E1為入射電子筆直(縱向)能量。

　　使用公式可核算出不一樣拉伸應變下隧穿電流隨偏壓的改變，如圖4所示。圖中實線、虛線別離表示0和5％的拉伸應變。核算偏壓別離為0．75 V和1.2 V時的壓阻系數(shù)為：

　　傳感器的輸出為：

　　設偏壓為0．75 V設偏壓為0．75 V，電橋的鼓勵電壓為2．5 V的情況下，該傳感器的靈敏度S為：

　　結語

　　該構造的壓力微傳感器因為靈敏元件與改換元件一體化，尺度小，其固有頻率很高，能夠丈量頻率規(guī)模很寬的脈動壓力。在不一樣的偏壓下，該傳感器的靈敏度不一樣。闡明靈敏度可調(diào)理。同樣構造的微壓力傳感器，假如靈敏元件是硅或銅鎳合金壓敏電阻，其靈敏度別離為0．38x104V／m和O．17×104V／m?？梢娺x用共振隧穿二極管做為靈敏元件的微壓力傳感器其靈敏度較之傳統(tǒng)的傳感器得到了很大的進步。